快速热处理是在非常短的时间内，将单个硅片加热至400~1300摄氏度范围内的一种方法。
优点：减小热预算。硅中杂质运动最小。减小玷污，这归功于冷壁加热。由于较小的腔体体积，可以达到清洁的气氛。更短的加工时间。加大热梯度。

正的电荷。
负的电荷。
界面陷阱电荷。
可移动氧化物电荷。