问答题X 纠错
金属层间绝缘阻挡层:用做金属连线间的保护层。 注入屏蔽氧化层:用于减小注入够到和损伤。 势氧化层:做氧化硅缓冲层以减小应力。 掺杂阻挡层:作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。 阻挡氧化层:保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。 栅氧化层:用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。
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问答题
浅槽隔离(STI)是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。 取代了局域氧化工艺(LOCOS)
目的:硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。 常用设备:等离子刻蚀机,等离子体去胶机和湿法清洗设备。
光刻区,刻蚀区和离子注入区
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