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参考答案:

场氧化层:抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层
范围:2500~12000 * 10^-10(A上面一个圈) 之间

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问答题

生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么?

参考答案:在升温环境里,通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应,可以在硅片上得到一层热生长的氧化层;沉积的氧化层可以通过外部供给氧气...

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什么是浅槽隔离(STI),它取代了什么工艺?

参考答案:

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取代了局域氧化工艺(LOCOS)

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离子注入后进行退火工艺的原因是什么?

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参考答案:

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常用设备:等离子刻蚀机,等离子体去胶机和湿法清洗设备。

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参考答案:

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参考答案:等离子是一种中性,高能量,离子化的气体,包含中性原子或分子,带电离子和自由电子。RF能量的使用可以产生一个高功效的等离子...

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什么是外延层,为什么在硅片上使用它?

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问答题

列举硅片的七种质量要求。

参考答案:物理尺寸;平整度;微粗糙度;氧含量;晶体缺陷;颗粒;体电阻率

问答题

定义晶体生长,什么是CZ单晶生长法?

参考答案:晶体生长:是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。CZ单晶生长法:是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂...
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