问答题X 纠错

参考答案:

显著特征:高速,耐久性和功率控制能力。
最大缺陷:功耗高。

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问答题

什么是无源元件,举出两个无源元件的例子。

参考答案:

无源器件:在不需要外加电源的条件下,就可以显示其特性的电子元件。
例子:电阻,电容。

问答题

砷化镓相对于硅的主要缺点是什么?

参考答案:主要缺点:缺乏天然氧化物;材料的脆性;成本比硅高10倍;有剧毒性在设备,工艺和废物清除设施中特别控制。

问答题

砷化镓相对于硅的优点是什么?

参考答案:优点:具有比硅更高的电子迁移率;减小寄生电容和信号损耗的特性;集成电路的速度比硅电路更快;材料的电阻率更大。

问答题

什么是摩尔定律,它预测了什么?

参考答案:摩尔定律:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数,月每隔18个月便会增加1倍,性能也将提升1倍。预言在一块芯片上的晶体...

问答题

描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性。

参考答案:

按比例缩小:芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的
重要性:为了优电学性能,多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。

问答题

什么是芯片的关键尺寸,这种尺寸为何重要?

参考答案:芯片的关键尺寸(CD)是指硅片上的最小特征尺寸;因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准,也就是如果你拥有在硅片某种C...

问答题

列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势,简要描述每个趋势。

参考答案:提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越紧密,芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性:芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能...

问答题

什么是硅片,什么是衬底,什么是芯片?

参考答案:

硅片是指由单晶硅切成的薄片;
芯片也称为管芯(单数和复数芯片或集成电路);
硅圆片通常称为衬底。

填空题

为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。

参考答案:增大;减小;增大;增大

填空题

在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

参考答案:沟道夹断;载流子漂移速度的饱和
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