问答题X 纠错

描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性。

参考答案：

按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的
重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。

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问答题

什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要？

参考答案：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种C...
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问答题

列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。

参考答案：提高芯片性能：器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能...
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问答题

什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片？

参考答案：

硅片是指由单晶硅切成的薄片；
芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；
硅圆片通常称为衬底。

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填空题

为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

参考答案：增大；减小；增大；增大
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填空题

在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

参考答案：沟道夹断；载流子漂移速度的饱和
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填空题

阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

参考答案：减小
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填空题

为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

参考答案：增大；减小；增大
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填空题

MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。

参考答案：转移特性曲线的斜率；栅源电压；漏极电流
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填空题

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

参考答案：大；衬底；严重
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填空题

由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。

参考答案：正；P；N
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