问答题X 纠错

参考答案:

提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越紧密,芯片的速度就会提高。
提高芯片可靠性:芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性,不间断地分析制造工艺。
降低芯片成本:半导体微芯片的价格一直持续下降。

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问答题

什么是硅片,什么是衬底,什么是芯片?

参考答案:

硅片是指由单晶硅切成的薄片;
芯片也称为管芯(单数和复数芯片或集成电路);
硅圆片通常称为衬底。

填空题

为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。

参考答案:增大;减小;增大;增大

填空题

在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

参考答案:沟道夹断;载流子漂移速度的饱和

填空题

阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。

参考答案:减小

填空题

为提高跨导g的截止角频率ω,应当()μ,()L,()V。

参考答案:增大;减小;增大

填空题

MOSFET的跨导的定义是(),反映了()对()的控制能力。

参考答案:转移特性曲线的斜率;栅源电压;漏极电流

填空题

由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

参考答案:大;衬底;严重

填空题

由于栅氧化层中通常带()电荷,所以()型区比()型区更容易发生反型。

参考答案:正;P;N

填空题

P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

参考答案:N;P;空穴

填空题

N沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

参考答案:P;N;电子
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