填空题X 纠错

P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

参考答案：N；P；空穴
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填空题

N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

参考答案：P；N；电子
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填空题

对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

参考答案：尺寸小；结深浅；线条细；非工作基区重掺杂
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填空题

晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

参考答案：集电结势垒电容；发射结扩散电容
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填空题

晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

参考答案：功率增益；带宽
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填空题

基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

参考答案：从发射结渡越到集电结所需要的平均时间；2
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填空题

随着信号频率的提高，晶体管的幅度会（），相角会（）。

参考答案：下降；滞后
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填空题

无源基区重掺杂的目的是（）。

参考答案：为了降低体电阻
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填空题

基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

参考答案：基区；增加；提高
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填空题

当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

参考答案：变宽；变窄；增大；即厄尔利效应
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填空题

当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。

参考答案：不变；增加；基区宽度调变
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