对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

填空题X 纠错

参考答案：尺寸小；结深浅；线条细；非工作基区重掺杂

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填空题

晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

参考答案：集电结势垒电容；发射结扩散电容

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填空题

晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

参考答案：功率增益；带宽

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填空题

基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

参考答案：从发射结渡越到集电结所需要的平均时间；2

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填空题

随着信号频率的提高，晶体管的幅度会（），相角会（）。

参考答案：下降；滞后

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填空题

无源基区重掺杂的目的是（）。

参考答案：为了降低体电阻

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填空题

基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

参考答案：基区；增加；提高

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填空题

当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

参考答案：变宽；变窄；增大；即厄尔利效应

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填空题

当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。

参考答案：不变；增加；基区宽度调变

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填空题

在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。

参考答案：大；注入效率

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填空题

发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

参考答案：注入效率；下降；发射区禁带变窄；俄歇复合增强

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