填空题
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当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
参考答案：
变宽；变窄；增大；即厄尔利效应
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填空题
当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（），这称为（）效应。
参考答案：
不变；增加；基区宽度调变
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填空题
在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
参考答案：
大；注入效率
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填空题
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
参考答案：
注入效率；下降；发射区禁带变窄；俄歇复合增强
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填空题
小电流时会（）。这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。
参考答案：
减小；势垒区复合电流
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填空题
在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
参考答案：
内建电场；加速；减小
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填空题
某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（ ）和（ ）。若要获得1KΩ的电阻，则该材料的长应改变为（）。
参考答案：
500Ω；20Ω；600μm
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填空题
在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
参考答案：
减小；降低
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填空题
晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
参考答案：
发射；集电；集电极；基极
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填空题
晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。
参考答案：
正；零；集电极；发射极
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填空题
晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
参考答案：
从发射区注入基区的少子；总的发射极；发射；基
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