填空题X 纠错

小电流时会（）。这是由于小电流时，发射极电流中（）的比例增大，使注入效率下降。

参考答案：减小；势垒区复合电流
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填空题

在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。

参考答案：内建电场；加速；减小
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填空题

某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（ ）和（ ）。若要获得1KΩ的电阻，则该材料的长应改变为（）。

参考答案：500Ω；20Ω；600μm
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填空题

在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

参考答案：减小；降低
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填空题

晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。

参考答案：发射；集电；集电极；基极
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填空题

晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结（）偏、集电结（）偏时的（）电流与（）电流之比。

参考答案：正；零；集电极；发射极
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填空题

晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。

参考答案：从发射区注入基区的少子；总的发射极；发射；基
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填空题

晶体管中的少子在渡越（）的过程中会发生（），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（）。

参考答案：基区；复合；小
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填空题

晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。

参考答案：基区中到达集电结的少子；从发射结刚注入基区的少子；复合；小于 1；远小于
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填空题

PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

参考答案：小；小
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填空题

PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。

参考答案：雪崩击穿；齐纳击穿；热击穿
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