填空题
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晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指()结正偏、()结零偏时的()电流与()电流之比。
参考答案:
发射;集电;集电极;基极
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填空题
晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结()偏、集电结()偏时的()电流与()电流之比。
参考答案:
正;零;集电极;发射极
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填空题
晶体管的注入效率是指()电流与()电流之比。为了提高注入效率,应当使()区掺杂浓度远大于()区掺杂浓度。
参考答案:
从发射区注入基区的少子;总的发射极;发射;基
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晶体管中的少子在渡越()的过程中会发生(),从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子()。
参考答案:
基区;复合;小
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填空题
晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。
参考答案:
基区中到达集电结的少子;从发射结刚注入基区的少子;复合;小于 1;远小于
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填空题
PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
参考答案:
小;小
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填空题
PN结的击穿有三种机理,它们分别是()、()和()。
参考答案:
雪崩击穿;齐纳击穿;热击穿
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填空题
从器件本身的角度,提高开关管的开关速度的主要措施是()和()()。
参考答案:
降低少子寿命;加快反向复合;减薄轻掺杂区的厚度
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填空题
在PN结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在()区中的()电荷。这个电荷的消失途径有两条,即()和()。
参考答案:
N;非平衡载流子;反向电流的抽取;少子自身的复合
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填空题
扩散电容反映的是 PN 结的()电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越();少子寿命越长,则扩散电容就越()。
参考答案:
非平衡载流子;大;大
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填空题
势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。
参考答案:
微分;大;小
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