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填空题

当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

参考答案:增大;提高

填空题

当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

参考答案:减小;降低

填空题

PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

参考答案:小;大;大;小;大;小

填空题

当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。

参考答案:

填空题

在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

参考答案:负;正;N;P

名词解释

MOSFET本征电容

参考答案:即交流小信号或大信号工作时电路的等效电容,它包括栅漏电容和栅源电容,栅漏电容是栅源电压不变、漏源电压变化引起沟道电荷的变...

名词解释

耗尽层宽度W

参考答案:

P型材料和N型材料接触后形成PN结,由于存在浓度差,就会产生空间电荷区,而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

问答题

微电子学的特点是什么?

参考答案:微电子学:电子学的一门分支学科;微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强;微电子学中的空间尺度通常是以微米(&...

名词解释

HDL

参考答案:硬件描述语言,英文Hardware Description Language的缩写。指对硬件电路进行行为描述、寄存器传输...

名词解释

MASK

参考答案:掩模版。在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜(也称作...
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