判断题
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光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。
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判断题
形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。
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对
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判断题
CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。
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对
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判断题
MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。
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对
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判断题
当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。
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判断题
如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。
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对
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判断题
掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。
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对
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判断题
制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。
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错
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判断题
CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
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判断题
LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
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判断题
制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。
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