问答题X 纠错 设某1μmCMOS工艺的参数如下
设某1μmCMOS工艺的参数如下
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问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管,已知栅电容Cox=10-3pF/μm2,扩散区电容Cja=10-4pF/μm2,扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm,场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2,试计算多晶硅区和扩散区的电容。
图2.10版图中,若P管的L/W=8,N管的L/W=1/3,试用表2.3给出的设计规则,求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。
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