定性解释P－N结的单向导电性。

问答题X 纠错

定性解释P－N结的单向导电性。

参考答案：

进入题库练习

查答案就用赞题库小程序还有拍照搜题语音搜题快来试试吧

无需下载立即使用

你可能喜欢

问答题

在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。

参考答案：由于P型半导体中空穴多，而N型半导体中电子多。所以，在P－N结处电子由N区扩散到P区，而空穴则由P区扩散到N区。于是，P...

点击查看答案进入题库练习

问答题

为什么要引入扩散长度及寿命这2个物理量？

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

试说明半导体的载流子服从波尔兹曼的物理原因。

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

试描述施主与受主的电离过程。

参考答案：在N型半导体中，5价的磷或砷等杂质原子替代4价的硅或锗原子后，用4个价电子与周围4个近邻原子形成共价键，还有一个多余的价...

点击查看答案进入题库练习

问答题

半导体禁带中的束缚能级是怎样形成的？试举例说明。

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

若某半导体样品呈现出本征行为，这是否意味着它必定是纯净的？

参考答案：半导体样品呈现本征行为是指其导带中电子的浓度等于其价带中空穴的的浓度，由此可知，在4价的硅和锗中，掺入一些5价的磷或砷等...

点击查看答案进入题库练习

问答题

用紧束缚方法处理面心立方的s态电子，若只计及最近邻相互作用，试导出其能带为

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

设二维正三角形晶格中原子间距为a，试根据紧束缚近似的结果，求出能带E（k）的表达式，并求出相应的电子速度v（k）和有效质量的各个分量m_αβ。

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

证明：应用紧束缚方法，对于一维单原子链，如只计及最近邻原子间的相互作用，其s态电子的能带为

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

问答题

一矩形晶格，原胞边长a=2×10⁻¹⁰m，b=4×10⁻¹⁰m。画出自由电子的费米面。

参考答案：

点击查看答案进入题库练习

赞题库

赞题库-搜题找答案

（已有500万+用户使用）

历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题

无需下载立即使用

手机版电脑版