A.和电阻的并联和串联的计算方法相反
B.和电阻的并联和串联的计算方法相同
C.无法计算
D.是单独的规律，并联的电容不变，串联的电容增加

A.E、D、P
B.P、D、E
C.E、P、D
D.D、P、E

A.导体的电容减小了
B.导体板上的电量没有变化
C.介质内部和表面都不存在电荷
D.在导体板之间以及插入的导体内部，电位移矢量的大小改变了

A.真空中的高斯定理不再适用
B.真空中的高斯定理依然可以使用
C.引入电位移矢量没有任何意义
D.引入电位移矢量后只需要计算自由电荷即可

A.在电场作用下，电子是固定不动的
B.在电场作用下，自由电子将重新排布
C.在电场作用下，将产生感应电荷
D.处于静电屏蔽中，外电场对导体的影响仍然存在

A.导体外表面电荷和导体腔内的电荷大小相等，类型相同
B.导体外表面没有电荷
C.导体不再是等势体，外表面电势为0，内部电势不为零
D.导体腔内的电势和导体相等

A.导体内部的电荷均匀分布
B.导体表面是等势面
C.导体表面的电势和曲率半径成反比
D.导体表面电荷处处为0

A.A
B.B
C.C
D.D

A.因为静电场是有源场
B.因为静电场是无源场
C.因为静电场是有旋场
D.因为静电场是保守场

A.有源场
B.无源场
C.有旋场
D.无旋场

A.A
B.B
C.C
D.D