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参考答案:

工艺腔:提供高温氧化的加工环境
硅片传输系统:实现硅片在工艺腔中的装卸和传输
气体分配系统:实现维持高温阳化气氛的气流的正确传送与分配
尾气系统:彻底清除尾气及副产品
温控系统:精确地控制炉管温度
微控制器:控制着高温氧化炉的所有操作

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问答题

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参考答案:Deal-Grove氧化模型(线性-抛物线模型 linear-parabolic model),是可...

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热生长厚度是2000A的氧化层后,Si-SiO2的界面与原来的硅表面的高度差为多少?为什么?

参考答案:

氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%,即意味着每生长1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗。
920A

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