填空题
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当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时,器件的最高工作频率将()。
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填空题
当MOSFET的沟道长度很小时,阈值电压将随着沟道长度的减小而(),该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
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填空题
要提高MOSFET的跨导,需要()沟道长度和栅氧化层厚度。
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填空题
当MOSFET处于亚阈区时,漏源电流与栅压呈()关系。
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指数
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填空题
通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压,当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时,N沟道MOSFET的阈值电压向()方向调整。
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正
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填空题
当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时,MOSFET的阈电压会(),这称为衬底偏置效应。
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填空题
MOSFET的基本工作原理,是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力,从而控制()电流。
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漏极
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填空题
I
ES
代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流,相当于单独一个()构成的PN结二极管的反向饱和电流。
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发射结
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填空题
共发射极电路中,基极电流I
B
是输入电流,集电极电流I
C
是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I
C
与I
B
之比称为(),记为β。
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共发射极直流短路电流放大系数
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填空题
功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的(),记为M。
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高频优值
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填空题
当N型MOSFET的温度降低时,器件的阈值电压将()。
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