问答题X 纠错

参考答案:漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动,而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场,后者的推动力则是载流子的分布引起的。
漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而非简并半导体的迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系,二者的比值与温度成反比关系。
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问答题

试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。

参考答案:Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段:(1)温度很低时,电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱,可以忽略;...

填空题

()杂质可显著改变载流子浓度;()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。

参考答案:浅能级;深能级

填空题

反向偏置pn结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为pn结击穿,主要的击穿机理有两种:()击穿和()击穿。

参考答案:雪崩;隧道

填空题

半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:()的直接复合和通过禁带内的()进行复合。

参考答案:电子和空穴;复合中心

填空题

半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

参考答案:电离杂质的散射;晶格振动的散射

填空题

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为()禁带半导体,否则称为()禁带半导体。

参考答案:直接;间接

填空题

半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge和Si材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于()结构;与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成()和纤锌矿等两种晶格结构。

参考答案:金刚石;闪锌矿

填空题

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。

参考答案:温度;禁带宽度
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