单项选择题X 纠错
A.间隙密度 B.记录密度 C.磁道密度 D.面密度
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单项选择题
A.PROM B.SRAM C.闪存 D.EPROM
A.间隙 B.发射时间 C.延迟 D.开销
A.周期 B.发射时间 C.延迟 D.开销
A.展开循环 B.重新结合 C.消除不必要的存储器引用 D.用功能的风格重写条件操作
A.寄存器溢出 B.存储器溢出 C.分支预测 D.预测错误处罚
A.数目 B.均值 C.上界 D.下界
A.控制路径 B.关键路径 C.循环路径 D.操作路径
A.内存重命名 B.存储器重命名 C.寄存器重命名 D.控制重命名
A.吞吐量界限 B.延迟界限 C.发射界限 D.加载界限
A.消除循环低效率 B.消除不必要存储器引用 C.减少过程调用 D.减少寄存器引用
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