单项选择题X 纠错
A.PROM B.EEPROM C.固态硬盘 D.高速缓存
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单项选择题
A.DRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B.SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C.SRAM主要用于高速缓存 D.SRAM具有双稳态特性
A.DRAM具有双稳态特性 B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C.DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D.SRAM对干扰非常敏感
A.循环展开 B.创建多个累积变量 C.重新变换结合 D.以上都是
A.丢包 B.吞吐量 C.发射时间 D.延迟
A.丢包 B.发射时间 C.延迟 D.吞吐量
A.指令高速缓存 B.退役单元 C.分支寄存器 D.指令译码
A.消除循环的低效率 B.减少过程调用 C.消除不必要的存储器使用 D.适当添加注释
int len = strlen(s)，如果s=‛hell‛，则 len =（）
A.4 B.5 C.s的首地址 D.0
typedef struct{ int num; char *name; } *vec_ptr; 则在IA32机器上，sizeof(vec_ptr) =（）
A.4 B.8 C.12 D.16
typedef struct{ int num; char *name; } vec_rec; 则在IA32机器上，sizeof(vec_rec) = （）
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