单项选择题X 纠错
A.产生同方向之磁场以阻止磁通减少 B.产生同方向之磁砀以反抗磁通之增加 C.产生反方向之磁场以阻止磁通之减少 D.产生反方向之磁场以反抗磁通之增加
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单项选择题
如图所示电路,求a、b两端的总电感Lab=()
A.3H B.4H C.5H D.6H
A.2 B.4 C.6 D.8
如图所示,铁心的BC=0.5Wb/m2,假设铁心与气隙之截面积相同,求在气隙中之磁场强度为何()
A.1.78×105AT/m B.3.98×105AT/m C.5.64×105AT/m D.7.13×105AT/m
如图所示,C1为33μF,充满电后,把开关S由A移至B点,则C1之电压降为75V后达稳定,假设C2之初电压为零,则C2值为()
A.44μF B.33μF C.22μF D.11μF
A.1V B.10V C.100V D.1000V
A.2.4μF B.4.8μF C.7.2μF D.9.6μF
A.C1=300μF B.C1=300F C.C1与C2并联之总电容量为900μF D.C1与C2串联之总电容量为900μF
A.平行极板间的距离 B.平行极板有效面积 C.介质的介电常数 D.极板的电阻系数
如图所示,有四个完全相同的电容器,其电容量皆为2μF,则()
A.0.5μF B.1.5μF C.2.0μF D.6μF
如图所示,a、b两端的电容量为()
A.11μF B.5μF C.4.5μF D.4μF
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