问答题X 纠错

某个GaAsFET射频放大电路使用的场效应管的参数为

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问答题

某射频放大电路基于Z0=50Ω进行设计,其晶体管的参数为如果信号源的内阻为ZS=50Ω,负载端的电压反射系数为ΓL=0.5∠90°。试求放大电路的转换功率增益GT、工作功率增益GP和可用功率增益GA

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问答题

以获得最大功率增益为目的,在Z0=50Ω的系统中设计一个射频放大电路。已知当工作在1GHz下,VCE=10V,IC=10mA时,晶体管的参数为

要求给出输入匹配电路和输出匹配电路,并计算最大功率增益。

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问答题

在设计一个射频放大电路时,有三个晶体管A、B、C可以供选择。试从稳定性的角度出发选出最好的一个晶体管。

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问答题

请分别给出晶体管共集电极放大电路无源偏置电路和有源偏置电路的原理图。

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问答题

比较无源偏置电路和有源偏置电路的优缺点。

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问答题

如果使用长度为λ0/4传输线的单位元件,证明Kuroda规则中的电路变换依然适用。

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问答题

终端开路的微带传输线,由于边缘场的存在可以等效为并联一个0.1pF的负载电容。已知在微带线特性阻抗为50Ω,传输射频信号的相速度为1.5×108m/s,对于长度为1cm的微带传输线。考虑终端开路的边缘场效应,计算10MHz、100MHz、1GHz频率下,传输线的输入阻抗;并求在不同频率下等效理想的开路传输线的长度。

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问答题

给出一个契比雪夫低通滤波电路的带内插入损耗曲线,要求带内波纹为6dB,并且在两倍截止频率处具有不低于50dB的衰减。

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问答题

设计一个归一化巴特沃兹低通滤波电路,要求在两倍截止频率处处具有不低于20dB的衰减。

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滤波电路如下所示:

问答题

试比较λ0/4终端开路和终端短路传输线,与相应LC串联谐振电路和LC并联谐振电路的区别。

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