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判断题

P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时,沟道中产生空穴耗尽。

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在场效应晶体管内部,正常工作时有两种载流子在起关键作用。

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MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。

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N沟增强型MOS场效应晶体管的工作载流子是电子和部分空穴。

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MOS的输出特性曲线是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线,当电压大于某一个数值时,电流才会随着电压的增加而逐渐增大。

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N沟耗尽型MOS的转移曲线中,电流随着电压绝对值的增加而增大。

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可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。

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功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。

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集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体管,而最普遍又最常见的器件是PN结。

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当半导体的表面势略大于其费米势时,开始进入强反型状态。

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