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A.行地址控制器延迟时间,简称CL B.列动态时间,也称tRAS C.列地址控制器预充电时间,简称tRP
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单项选择题
A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD B.行地址控制器延迟时间 C.列动态时间,也称tRAS,表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟 D.列地址控制器预充电时间,简称tRP
A.列地址至行地址的延迟时间,简称RCD B.内存位宽的英文缩写 C.CPU二级缓存的英文缩写 D.行地址控制器延迟时间
A.CPU的主频 B.行地址控制器延迟时间 C.硬盘的转速 D.CPU二级缓存
A.PC3200 B.PC2700 C.40000 D.PC2100
A.PC3200 B.PC2700 C.2100 D.PC4000
A.PC2100 B.PC2700 C.PC133 D.2700
A.内存颗粒 B.模块名称 C.存储速度 D.模块位宽
A.模块名称 B.生产厂商 C.运行速度 D.主频
A.EDO DRAM B.TCO 03 C.SDRAM D.DDR
A.SATA 100 B.USB2.0 C.EDO DRAM D.DVI
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