A.禁带较窄
B.禁带较宽
C.禁带是间接跃迁型
D.禁带是直接跃迁型

A.无杂质污染
B.受宇宙射线辐射
C.化学配比合理
D.晶体完整性好

A.本征半导体
B.金属
C.化合物半导体
D.掺杂半导体

A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构

A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压

A.处于绝对零度
B.不含任何杂质
C.不含任何缺陷
D.不含施主

A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错

A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同

A.n
B.p
C.本征