问答题X 纠错

参考答案:I.GBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。栅极施以正电压时,MOSFET内形成沟道,从而使IGBT导通。在栅极上施以负电压时,MOSFET内的沟道消失,IGBT即为关断。
选用IGBT的参数时应注意:
1、集电极-发射极额定电压UCES。
2、栅极-发射极额定电压UGES,使用中不能超过该值。
3、额定集电极电流IC:该参数给出了IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UEC(sat):此参数给出IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的电压降。
5、开关频率。
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