单项选择题X 纠错

A.原始粉料的粒度
B.外加剂
C.烧结温度
D.烧结速度

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单项选择题

A.原始粒度不均匀
B.烧成温度偏高
C.烧成温度偏低
D.烧结速度太快

单项选择题

A.控制烧结速率
B.控制粒晶
C.加适当的添加剂
D.改变温度

单项选择题

A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能
D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能

单项选择题

A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
C.晶粒不断成核长大的过程
D.少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

单项选择题

A.基质塑性变形所增加的能量
B.基质塑性的表面能
C.基质塑性变形所固有的能量
D.基质塑性的界面能

单项选择题

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发-凝聚

单项选择题

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发-凝聚

单项选择题

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发-凝聚

单项选择题

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发-凝聚

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