判断题X 纠错

N沟耗尽型MOS的转移曲线中，电流随着电压绝对值的增加而增大。

参考答案：错
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判断题

可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。

参考答案：对
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判断题

功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。

参考答案：错
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判断题

集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体管，而最普遍又最常见的器件是PN结。

参考答案：对
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判断题

当半导体的表面势略大于其费米势时，开始进入强反型状态。

参考答案：对
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判断题

一般的MOS管的输出特性曲线可以分为三个区，即可调电阻区、饱和工作区和击穿工作区。

参考答案：对
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判断题

所谓MOS管的正向偏置是指门极、源极和漏极都处于正电位，而衬底位于零电位。

参考答案：对
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判断题

MOS型场效应晶体管是一种三端、三种材料、异质结型、一种载流子工作的电压控制型器件。

参考答案：对
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判断题

平带电压就是使材料达到理想平带状态所需要的外加电压，其大小与电子亲合力相等。

参考答案：错
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判断题

电子亲合力是真空能级与导带底的差值。

参考答案：对
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多项选择题

关于pn结空间电荷区的说法正确的有（）。

A.宽度大约几百个微米
B.其宽度与外加偏置电压大小有关
C.反向偏置宽度增大
D.正向偏置宽度增大
E.内部存在着热平衡载流子
F.与p区和n区相比最容易失效

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