A.多数载流子的运动称为漂移；
B.电子与空穴的中和称为复合；
C.多数载流子的运动称为扩散；
D.少数载流子的运动称为漂移；

A.—12V；
B.—6V；
C.+6V；
D.+12V。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏。

A.发射结正偏、集电结反偏；
B.发射结正偏、集电结正偏；
C.发射结反偏、集电结正偏；
D.发射结反偏、集电结反偏；

A.掺杂的工艺；
B.杂质的浓度；
C.温度；
D.晶体的缺陷。

A.电子；
B.空穴；
C.三价元素；
D.五价元素。

A.给本征半导体加上一定的能量，则价电子就能成为自由电子；
B.给本征半导体不加能量，则价电子也能成为自由电子；
C.给本征半导体加上一定的能量，则价电子也不能成为自由电子；
D.以上所有说法都不正确。

A.数量很多；
B.数量适中；
C.数量很少；
D.满足A项和B项。

A.该半导体为微导电；
B.该半导体为绝缘体；
C.该半导体为导体；
D.A项和C项。

A.不含杂质且具有完整晶体结构的半导体；
B.含有三价元素硼的半导体；
C.含有五价元素磷的半导体；
D.不含杂质且电阻率极低的半导体。