A.二极管的小信号模型就是一个电阻
B.小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关
C.当静态电流越大时，所对应的微变等效电阻就越小
D.当静态电流越大时，所对应的微变等效电阻就越大

A.1mA
B.0.03mA
C.0.07mA
D.0mA

A.对于二极管的理想模型，正向通电时，导通管压降为零
B.对于二极管的理想模型，反向偏置时，二极管相当于一根导线
C.恒压降模型就是在二极管的理想模型上加了一个电压源
D.对于恒压降模型，当二极管导通后，认为管压降是0.7V

A.二极管正向导通，电流与电压呈现指数关系
B.二极管是一种线性元件
C.若已知二极管的伏安特性曲线，根据作图法，能求得二极管的Q点
D.对于电路有i_D=（V_DD-v_D）/R

A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成

A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子，电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚（相同情况）

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁

A.4
B.3
C.2
D.1