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问答题

四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势是什么?

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问答题

简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。

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为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢?

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依据相图,LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。

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GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些?

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详细说明三温区横拉法中温度选择的依据。

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作为间接帯隙材料GaP为什么能成为可见光LED的主要材料?

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从能带结构特点比较Si和GaAs在应用上的不同。

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计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时,外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸?

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问答题

确定在1200℃时,由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s,表面反应速率常数为KS=107exp(-1.9eV/kT)cm/s,CG=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃,生长速率将变化多少?

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