问答题X 纠错
从四元固溶体的带隙与晶格常数图,说明与GaAs晶格(0.5653nm)相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少?
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问答题
依据相图,LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。
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计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时,外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸?
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