化学气相蒸镀乃使用一种或多种气体，在一加热的固体基材上发生化学反应，并镀上一层固态薄膜。
优点：
（1）真空度要求不高，甚至可以不需要真空，例如热喷覆
（2）沉积速率快，大气CVD可以达到1μm/min
（3）与PVD比较的话。化学量论组成或合金的镀膜较容易达成
（4）镀膜的成份多样化，如金属、非金属、半导体、光电材料、钻石薄膜等等
（5）可以在复杂形状的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷
（6）厚度的均匀性良好，低压CVD甚至可以同时镀数十芯片
缺点：
（1）热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解
（2）需要在高温下进行，有些基材不能承受，甚至和镀膜产生作用
（3）反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性，处理时需小心
（4）反应生成物可能残余在镀膜上，成为杂质
（5）基材的遮蔽很难