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判断题

LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

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制备多晶硅之前先做一层薄氧,这层薄氧是栅氧。

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制作场氧区的时候,氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

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采用双阱工艺,可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

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利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅,可以使得MOS电路特性得到改善,阈值电压下降。

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制作MOS管结构时,源漏虽然结构完全对称,但掺杂浓度不同。

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linux中命令输完以空格结尾。

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全定制设计和半定制设计相比,半定制设计的设计要求更高。

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N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

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使用calibre工具做LVS验证时,需要用到设计规则文件。

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