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MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
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N沟耗尽型MOS管的工作载流子是空穴。
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当MOS管处在饱和工作区时，导电沟道相当于一个零电阻的导体。
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MOS的栅极加电压高于衬底电压称为正偏压。
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处于线性工作区的MOS管，栅极电压将对电流不产生影响。
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极开启电压。
参考答案：
对
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P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。
参考答案：
对
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MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。
参考答案：
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判断题
N沟增强型MOS场效应晶体管的工作载流子是电子和部分空穴。
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