A.锗管①为b极
B.硅管③为c极
C.锗管②为e极
D.硅管③为b极

A.基区很薄
B.基区掺杂浓度最高
C.发射区掺杂浓度最高
D.发射结的结面积小于集电结的结面积

A.3V
B.10V
C.-3V
D.-10V

A.P型半导体，其少子为自由电子
B.N型半导体，其多子为自由电子
C.P型半导体，其少子为空穴
D.N型半导体，其多子为空穴

A.虚地与虚断
B.虚短与虚地
C.虚短与虚断
D.断路与短路

A.仅自由电子是载流子
B.仅空穴是载流子
C.自由电子和空穴都是载流子
D.三价杂质离子也是载流子

A.三价元素
B.四价元素
C.五价元素
D.六价元素

A.正向导通
B.正向击穿
C.反向截止
D.反向击穿