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判断题

在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。()

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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()

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干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。()

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设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。()

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光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()

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半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.()

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离子源是产生离子的装置。()

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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。()

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抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()

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位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。()

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