A.光电管
B.光电池
C.光敏电阻
D.光敏二极管

A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度
B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比
C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比
D、以上说法都对

A、原始信号强、灵敏度高、后序处理电路简单等特点。
B.磁敏电阻原件与磁敏霍尔元件相比较，除了不能判断极性外，霍尔元件可以完成的功能，磁敏电阻原件均可以实现。
C、磁敏电阻结构复杂、成本高、性能价格低。
D、利用磁敏电阻元件开发的位移、角度、倾斜角、图像识别传感器是霍尔元件难以实现的。

A.石英晶体
B.钛酸钡
C.锆钛酸铅
D.铁

A.钛酸铅
B.钛酸钡
C.铌镁酸铅
D.锆酸铅

A.压电元件
B.质量块
C.石英晶片
D.预压弹簧

A.变极距型
B.变面积型
C.变介电常数式
D.变介质型

A.测量精度低
B.灵敏度高
C.结构简单
D.行能可靠

A.震动
B.速度
C.加速度
D.张力

A.线圈
B.电容
C.铁芯
D.衔铁

A.直流平衡电桥
B.直流不平衡电桥
C.交流平衡电桥
D.交流不平衡电桥