电阻加热蒸发法、电子束蒸发法、溅射法

接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。

紫外光源、深紫外光源。

负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成

区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底

检查内容：掩膜版选用是否正确、光刻胶层得质量是否满足要求、图形的质量、套刻精度是否满足要求

曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况