区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底

检查内容：掩膜版选用是否正确、光刻胶层得质量是否满足要求、图形的质量、套刻精度是否满足要求

曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况

底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验

有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。

作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。

离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。