问答题X 纠错
有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。
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问答题
作用是激活注入的离子,恢复迁移率及其他材料参数。
离子注入损伤,是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。
损伤类型:空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。
扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。
替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散
双光干涉法、比色法
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