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参考答案:

有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。

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问答题

离子注入后为何退火?

参考答案:因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上,而是处于间隙位置,无电活性,一般不能提供导电性能,所以离子注入后...

问答题

离子注入后退火的作用是什么?

参考答案:

作用是激活注入的离子,恢复迁移率及其他材料参数。

问答题

什么是离子注入损伤?

参考答案:

离子注入损伤,是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

问答题

有哪些损伤类型?

参考答案:

损伤类型:空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。

问答题

什么是沟道效应?

参考答案:对晶体靶进行离子注入时,当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的,而是将沿沟道运动并且很少受...

问答题

如何降低沟道效应?

参考答案:减少沟道效应的措施:(1)对大的离子,沿沟道轴向(110)偏离7-10o;(2)用Si,Ge,F,Ar等离子注入使表面预...

问答题

与扩散源相比,离子注入有哪些优点?

参考答案:1.可在较低的温度下,将各种杂质掺入到不同的半导体中;2.能够精确控制晶圆片内杂质的浓度分布和注入的深度;3.可实现大面...

问答题

扩散源有哪些存在形态?

参考答案:

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

问答题

热扩散机制有哪些?

参考答案:

替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散

问答题

氧化膜厚度的测定方法?

参考答案:

双光干涉法、比色法

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