问答题X 纠错
表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷
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问答题
温度、气体分压、硅晶向、掺杂
有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化
1、作为掩膜, 2、作为芯片的钙化和保护膜, 3、作为电隔离膜, 4、作为元器件的组成部分。
替代式杂质、间隙式杂质
二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形,热氧化生长的SiO2为非结晶态。
CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些过程?
包括:边缘抛光:分散应力,减少微裂纹,降低位错排与滑移线,降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光:粗抛光,细抛光,精抛光
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