问答题X 纠错
替代式杂质、间隙式杂质
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问答题
二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形,热氧化生长的SiO2为非结晶态。
CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些过程?
包括:边缘抛光:分散应力,减少微裂纹,降低位错排与滑移线,降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光:粗抛光,细抛光,精抛光
腐蚀方式:喷淋及浸泡
工序目的:去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染
清洗顺序:去分子-去离子-去原子-去离子水冲洗-烘干、甩干
被吸附杂质的存在状态:分子型、离子型、原子型
铜作为互连材料,其抗电迁移性能比铝好,电阻率低,可以减小引线的宽度和厚度,从而减小分布电容。
低K材料:介电常数比SiO2低的介质材料
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