包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光

腐蚀方式：喷淋及浸泡

工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染

清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干

被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型

铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。

低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料

切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。

包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。

小尺寸MOS器件中的二级效应包括：短沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。