问答题X 纠错
清洗顺序:去分子-去离子-去原子-去离子水冲洗-烘干、甩干
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问答题
被吸附杂质的存在状态:分子型、离子型、原子型
铜作为互连材料,其抗电迁移性能比铝好,电阻率低,可以减小引线的宽度和厚度,从而减小分布电容。
低K材料:介电常数比SiO2低的介质材料
切片决定了硅片的四个重要参数:晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。
包括:切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
小尺寸MOS器件中的二级效应包括:短沟道效应;窄沟道效应;饱和区沟道长度调制效应;迁移率退化和速度饱和;热电子效应。
注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
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