低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料

切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。

包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。

小尺寸MOS器件中的二级效应包括：短沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。

注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。

减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。

增强型NMOS和耗尽型NMOS。