问答题X 纠错
切片决定了硅片的四个重要参数:晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。
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问答题
包括:切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
小尺寸MOS器件中的二级效应包括:短沟道效应;窄沟道效应;饱和区沟道长度调制效应;迁移率退化和速度饱和;热电子效应。
注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。
减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。
增强型NMOS和耗尽型NMOS。
形成某种材料的薄膜;在各种材料的薄膜上形成需要的图形;通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。
衬底材料制备;埋层的形成;N型外延层的形成;隔离区的形成;晶体管基区的形成;晶体管发射区和引线孔的形成;金属化的形成。
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