MOSFET本征电容包括：栅-衬电容CGB；栅-源电容CGS；栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括：栅-源、栅-漏覆盖电容；栅-衬底覆盖电容；源、漏区pn结势垒电容。

注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。

减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。

增强型NMOS和耗尽型NMOS。

形成某种材料的薄膜；在各种材料的薄膜上形成需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

衬底材料制备；埋层的形成；N型外延层的形成；隔离区的形成；晶体管基区的形成；晶体管发射区和引线孔的形成；金属化的形成。

扩散和离子注入。

动态随机存取存储、器和静态随机存取存储器。

生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。

时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。