内容：
（1）阈值电压下降；
（2）非均匀掺杂效应；
（3）垂直电场引起的迁移率下降；
（4）载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应；
（5）沟道长度调制；
（6）漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应；
（7）衬底电流引起的体效应；
（8）亚阈值导通效应；
（9）寄生电阻效应。

1级模型通过电流-电压的平方律特性描述；
2级模型是一个详尽解析的MOS场效应管模型；
3级模型是一个半经验模型。

1970年H.K.Gummel和H.C.Poon提出的。

Ebers和Moll于1954年提出的。

热噪声、闪烁噪声和散粒噪声。

介质衬底的背面应该完全被低欧姆金属覆盖并接地，使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。

电参数：阻抗、衰减、无载Q、波长、延迟常数

包括微带（Micro-strip）和共面波导（CPW，CoplaneWaveGuidE.型的传输线。

功能：传输信号和构成电路元件

使用长度l<λ/4的短电传输线（微带或共面波导）或者使用长度在λ/4