N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍

自对准无需重叠设计减小了电容提高了速度减小了栅、源、漏极尺寸增加集成度；增加电路可靠性

将两次MASK步骤合为一次，让D，S和G三个区域一次成形

CGS、CGD都增大了；栅极增长，管子尺寸变大，集成度降低。

制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸

（1）跨导相对低；
（2）阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；
（3）驱动电流小；
（4）阈值电压变化大。

HEMT有源层中，没有施主与电子的碰撞毫米波电路和光纤通信的超高速电路

因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象

栅长小于0.3um